MOS管控制问题（电源电压被瞬间拉低）及解决办法

各位模拟大神，求教一个问题。如下图，BAT+点的电压，通常在2.4～2.8V左右，但是，每当按键之后，MCU的5脚输出高电平，导通了Q1的一瞬间，BAT+点的电压会被瞬间拉低1.5～1.7V左右，持续约数十毫秒，结果就把MCU给拉死了，导致复位重启。

求教有无解决办法？？？

电池内阻太大，带不动电机

C2再并联一较大电容数uF，再不行则R7再串萧持基二极管。电池也并联大值电容。我一个产品也一样情況，MCU采用2V可动作的，大电容用22uF，9V电池，负载是电磁蜂呜器和RF发射。

to A1,电池是镍氢电池，带动电机没问题的。电机本身也是一个很小的有刷直流小电机而已。

最大的问题，还是MOS管导通的瞬间，相当于短路到地了，所以才会将电源电压给瞬间拉低的。

A2所提到的这些方法都尝试过了：

1、C2并大电容，一直试到220uF才解决问题，但是电容体积太大（电解电容），外壳装不下。

2、并联肖特基，导致MCU端的供电电压下降了0.2～0.3V，当电池电压下降到2.0V时就面临复位的风险了，因为MCU的复位电压点就设置在1.6～1.8V之间。并且还是要并联大电容，外壳不允许。

3、MCU本身就是可以工作于2.0V以下的，最低可以到1.6V左右。

请指教，看看是否还有其他解决办法？

用pwm，占空比从小到大，慢慢启动。

嗯，软启动这招已经试过了，效果确实可以，但是客户不接受，理由是：软启动导致马达缓慢转起来，在转动的那一瞬间，感觉很没劲。

而硬启动，在启动的一瞬间有一种“猛然上冲”的感觉，体验比较爽。这是客户自己说的，我是死活 提验不出有啥差别。

该客户是互联网客户，典型的不懂硬件的SB，实在没招，唉！！！

BAT+到单片机VDD，用肖特基二极管，然后电容尽可能的大。把单片机电源与电池隔离，单片机的耗电在压一压。

当以上方法确实用尽，终极方法：电机串小电阻。

mos管，那个100欧换大点，换个2K，下拉电阻加大，减少耗电。电容就能多抗一会。如果那个3r3换成肖特基，电容应该不需要这么大。电容的体积，不一定很大。

也许该由电池夹子背锅。两个电池如果用电池夹子安装，有3-4个接触点，如果弹力不足，或接触表面不好，接触电阻可能比较大。

C1 应该改小。1nF 即可。 二极管D2已经保护了MOSFET，电容只是通过EMC用。

用100nF 会让电源瞬间跌落一半，甚至更多。MLCC误差可能达到50%。

电池两端并联大电容可以让电机有“猛然上冲”的感觉，还可以减少其他毛病。一个瓷介电容都没有点不可思议

用宵特基把MCU的电源和其他部分隔开即可。还不行，再加大MCU电源的电容。

C2并大电容 + 并联肖特基要一起上，这样电容应该可以小点。

如果肖特基压降太大，可以改用低RDS(ON)的PMOS管，

启动电机前先关了它，过了启动大电流期再打开。

A10这个方法测试过了，虽然可以解决问题，但是又引入了其他新的问题，所以最终还是被否决了。

谢谢A8 指教！感觉挺有道理的，回头我试试。

这个电路是客户自己设计的，我们只是配合做了MCU及软件而已。现在出了问题就赖在我们身上，要求给解决，没辙啊，只能硬着头皮上了。

to A7,电池是焊死在板子上的，不存在接触不良的问题。