原来内存超频这么简单——intel平台DDR4内存时序调教

备注：

①推荐使用RunMemtestPro最新版（目前是4.0版本）进行测试，CPU 12线程可以设置线程60~72左右，加快测试进度。

②遇到开机无法过自检P.O.S.T，高级的主板会尝试三次启动（等待一段时间，主板上信号灯会多次闪烁尝试开机），失败的话会自动恢复BIOS设置，出现图7画面，按F1进入BIOS重新设置即可，或者通过强制重启，清除CMOS设置解决（具体还请查看主板说明书）。

3.3 时序设置——乘胜追击提高效能

时序收紧过程，建议新手按时序顺序分3次进行，每次设置后分别进行一次200%稳定性测试。

图8是本文的精华需要读者细细研究。重点时序如上图红色五角星标记，一定要重点关注（同下文表格中红色加粗部分）。除了tREFI外，其它时序参数都是越小越好。

时序部分特别感谢孔大（盐水狐狸）指点！

3.3.1 第一时序收紧

第一时序是影响内存性能最关键的时序，尤其是tCL，多花点时间绝对值得。根据3.2.4得到的时序，第一时序调整步骤如下：

① tCL：不断减1，其他保持不变，进行一次25~50%稳定性测试，直到不通过

② tRP/tRCD：不断减1， 其他保持不变，进行一次25~50%稳定性测试，直到不通过

③ tRAS：不断减2，其他保持不变，进行一次25~50%稳定性测试，直到不通过

④ CR：Auto，体质好的可以尝试1，进行一次25~50%稳定性测试，通过保留，不通过自动就好（如果CR=1 50% 没问题，接着跑200%就好）

⑤ 完成以上时序调整后，进行一次完整200%测试

备注：

① tCL计算公式得到数据取整，并都向前进一位，比如14.4，最后tCL应该取15

② BL-Burst length=0/2/4/8

3.3.2 第二时序收紧

第二时序最关键找出tRFC，其他参数直接按照参考值设置即可，调整步骤如下：

①三星B-die、海力士CJR、镁光E-die颗粒可以根据下表查询，目标频率下的tRFC。建议尽可能靠近上限值（比如三星B-die 4000MHz tRFC可以取300）。设置tRFC后进行50%稳定性测试，不通过增大tRFC(10~20)，直到测试通过。

②剩余参数按照下方进行填写即可，然后完整跑一次200%。三星B-die tFAW可以挑战12或14，E-die、CJR 16即可。

3.3.3 第三时序收紧

第三时序按照下表进行设置，跑一边200%即可，基本不会有问题。海力士CJR tRDRD_sg、tWRWR_sg建议Auto。

3.4 Training设置-效能锦上添花

降低RTL可以有效降低延迟时间2ns左右，RTL设置一般放在时序调整后进行，因为任何时序收紧都会影响RTL值，RTL值太低将无法开机。RTL降低有两种方式：

① 通过压低IO-L offset直到不能开机，并降低IO-L直到不能开机，RTL自动
② 通过提高IO-L offset直到不能开机，并降低RTL直到不能开机，IO-L自动

备注：

①尽量避免RTL A/B两个值差异超过2，这样会影响效能

②tCCD与tRDRD/tWRWR_dg绑定，tCCD_L与tRDRD/tWRWR_sg绑定[4]

后记

• 如果各位客官还有余力，建议尝试分别降低DIMM、VCCIO、VCCSA电压（每一以0.01V或0.02V进行尝试），并测试稳定性。目的是以更低的电压稳定运行，追求完美的心（装X）不能停。

• 如果通过稳定性测试，在游戏、拷机等高负载条件下遇到蓝屏（代码unexpected_kernel mode_trap，如图13）不要慌，内存DIMM、VCCIO、VCCSA电压提高1~2挡（0.01V左右）即可。（前提CPU稳定性没有问题，或者说CPU超频不稳定也会出现该蓝屏问题，解决办法CPU加压或调整防掉压等级）

终于写完了，以上就是内存超频和时序调整的全部内容了，Enjoy！

附录

1.参考文章/视频

【1】Z370主板超高频内存稳定性调校秘籍公开（长测一年）

【2】内存条的深入解析1、内存条的深入解析2 、搞懂内存的名词跟架构入门要点

【3】MemTestHelper

【4】内存时序对于Intel Memory Latency Checker跑分影响的观察记录

2.推荐文章

【1】Comprehensive Memory Overclocking Guide

【2】Maximus VI Series UEFI Guide for Overclocking

【3】Intel Memory Overclocking Quick Reference