为了有利于分析MOS管上标注12345678,上图忘了标注重新传上.
进入寻址阶段XE.XG.XF高电平MOS管2.4.6.7导通。VE电压经MOS管7加到屏上。进入维持阶段XE低电平MOS管7截止XG.XF继续高电平,MOS管2.4.6继续导通,XP高电平MOS管8导通电容器C正断电压经MOS管2加到地,电容器负端经MOS管6.8加到屏上,屏上得到一个与VS电压相同的负电压。
电容器C放电完后XG.XF低电平MOS管2.4.6截止。XR.XS高电平MOS管3.1.5.8导通VS电压经MOS管1.5.8加到屏上另一路经MOS管1二极管D1向电容器C充电为下一个负脉冲形成做好准备。就这样往复形成了正负VS电压加到屏上。
能量恢复电路在维持阶段当XS低电平时XF高电平Q1,Q5截止(XR先低电平Q3先截止)XF高电平Q4导通,屏上的正电压(因等离子屏容性的)经Q8.电感.二极管.Q4到地电感右正左负屏上的电能转给电感形成磁能屏上的电能转化后电感左正右负电感的磁能转化电能这时XG高电平Q2.Q6导通,负压加到屏上利用Q1和Q2,Q5和Q6的死区时间屏上的电能转给电感形成磁能。