从 1958 年通用电气公司发布第一款工业用普通晶闸管开始,电能的转换和控制就进入了电力电子器件构成的变流器时代,这也标志着电力电子技术的诞生。电力电子技术也应用非常广泛,包括各种电子产品、家用电器、航空航天、新能源领域的光伏逆变器、电动汽车电力系统、智能电网、轨道交通等。 电力电子是现代科学、工业和国防的重要支撑技术,而半导体功率器件则是电力电子技术的核心和基础,也是电力电子模块中成本占比最高,同时也是最容易发生故障的元器件。 怎么选择更适合产品设计的功率器件,如何分析功率器件的不良原因等都是电力电子行业从业者最为关系的问题。 是德科技作为测量行业领导者,提供最全面的功率器件解决方案,小编在这里给大家汇总一下,值得收藏: 1. 功率器件静态参数测试 2. 功率器件动态参数测试 3. 功率器件 On-Wafer 参数测试 4. 电力电子器件建模 5. 电力电子电路仿真平台 *有任何需求,请在文章底部填写问卷。 功率器件静态参数测试 静态参数主要是指本身固有的,与其工作条件无关的相关参数,主要包括:门极开启电压、门极击穿电压,集电极发射极间耐压、集电极发射极间漏电流、寄生电容(输入电容、转移电容、输出电容),以及以上参数的相关特性曲线的测试。 碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等全新宽带隙材料能够支持大电压和高切换速度,在新兴大功率应用领域具有广阔前景。IGBT 可以作为众多应用的电子开关,并且其重要性持续增加。在高电压直流偏置条件下(高达 3kV),高击穿电压(达 10kV)、大电流(数千安培)、栅极电荷以及连接电容表征和器件温度特征和 GaN 器件电流崩溃效应测量功能都十分必要,是推动新器件尽快上市的重要保证。 面对功率器件高压、高流的测试要求,Keysight 可以提供 B1505A 和 B1506A 两套测试方案,可以支持晶圆和封装器件全参数测试: ■测量所有 IV 参数(Ron、BV、泄漏、Vth、Vsat 等); ■测量高电压 3kV 偏置下的输入、输出和反向转移电容; ■支持自动 CV 测试; ■测量栅极电荷(Qg); ■电流崩塌测试; ■高低温测试功能(-50°C 至 +250°C)。 典型测试案例 其中 B1506A 有着宽泛的电流和电压工作范围(1500A,3kV),易于使用并且支持全自动测试,可以完成功率器件 IV、CV 和 Qg 全参数测试,最终输出产品 Datasheet 报告。 使用 B1506A 的 Datasheet 测试功能对某 IGBT 功率模块进行实测,整个测试过程使用非常简单,在极短的时间内完成 IV、CV 和 Qg 参数测试。 具体测试步骤如下: 1、选择 IGBT 测试模板,按照测试要求设置测试条件; 2、设置测试曲线的显示范围; 3、选择需要测试的参数; 4、点击执行测试。 测试完成后,可以生成 Datasheet 测试报告如下所示,包括 IV 参数(击穿电压、漏电、开启特性),CV 参数(Rg、输入、输出和反向传输电容)和栅极电荷 Qg。 图:实际测试结果 功率器件动态参数测试 |