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探秘手机内部 挖出那些影响续航的硬件芯片!

2019-8-19 17:34| 发布者: 维修迷| 查看: 148| 评论: 0

摘要: 除了屏幕,手机内部集成的各种芯片和零部件同样需要电力驱动,而不同的芯片搭配,往往也会影响到最终的续航结果。内存芯片如今手机内存主要以LPDDR4和LPDDR4X为主。和更早期的LPDDR3内存相比,LPDDR4将运行频率从933 ...

除了屏幕,手机内部集成的各种芯片和零部件同样需要电力驱动,而不同的芯片搭配,往往也会影响到最终的续航结果。
内存芯片
如今手机内存主要以LPDDR4和LPDDR4X为主。和更早期的LPDDR3内存相比,LPDDR4将运行频率从933MHz提升到了1600MHzMHz,工作电压也从1.2V降低到1.1V;LPDDR4X的Vddq电压则进一步从1.1V降至0.6V(Vdd2电压保持1.1V不变),运行频率最高可达2133MHz,不仅效率(性能)更高,功耗最多也能下降40%。

通过内存生产工艺的升级,其功耗还能进一步降低。
据悉,三星第二代10nm工艺的LPDDR4X内存已经量产,相比第一代虽然性能没有提升,但是功耗却可再降10%,可使手机平板等移动设备更省电。
因此,在电池和其他硬件一致时,手机如果能搭配10nm工艺的LPDDR4X内存,在续航潜力的表现上自然更加值得期待。
此外,内存性能越高,意味着手机可以在更短的时间内完成数据交互,同样有利于节省电力。
以LPDDR4X内存为例,它就可以运行在单通道(多与骁龙4系搭配)、双通道(骁龙6/7系)和四通道(骁龙8系,麒麟980)模式,通道数越多性能越强。

在不久的将来(预计2020年),手机内存还会进化到LPDDR5时代,抛开性能不谈,LPDDR5内存较LPDDR4X的功耗还能再降30%,它自然又是可以延长续航时间的芯片之一。 
闪存芯片
闪存芯片大家应该会更熟悉一些,目前手机领域主要以eMMC5.1和UFS2.1为主,而一加7、三星Note10、黑鲨2 Pro和ROG2等手机都用上了UFS3.0闪存。以持续读取速度为例,eMMC5.1最高约400MB/s,UFS2.1平均在900MB/s左右,而UFS3.0则可突破1500MB/s大关。

速度的增加,可以让UFS闪存在更短时间完成数据的读写,从而更快进入省电待机状态。
最新的UFS3.0还进一步通过2.5V VCC电压降低功耗,并支持最新NAND Flash技术,工作温度范围也从-25摄氏度~85摄氏度扩展到了-45摄氏度~105摄氏,可避免在极高/低温环境下手机停止工作的情况。

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